目前日本、韩国等国家在NAND闪存领域占据主导地位，但在新型存储技术上投入相对滞后，英特尔、美光为代表的美国企业率先突破技术壁垒，联合推出3D XPoint技术，但是存储密度低导致成本极高、制造工艺复杂难量产、生态封闭且已随傲腾停产退出主流市场。传统非易失性半导体存储芯片中GTS（Ge-Sb-Te系统）技术由于二维过渡金属二硫属化物的相亚稳态技术不完善的主要缺点和高成本阻碍了其从实验原型向大规模生产的过渡，因此迫切需要解决这一相态不稳定的科学问题。本项目通过分析多组分硫族化合物半导体在外部电压作用下界面处发生的电阻切换和记忆效应，成功解决了这个问题，制备出周期交替纳米层序列稳定Petrov结构非易失性半导体存储芯片，生产出稳定运行的薄膜存储元件，其具有创纪录的低开关时间（tsw. ≤ 0.1 μs）、低阈值电压（Uth ≤ 2V）以及创纪录的信息存储时间（超过10年）。本产品有效的解决了3D XPoint物理极限问题，促进非易失性半导体存储芯片广泛应用于微电子、航空航天领域，为等新技术提供了发展窗口。此产品市场规模达6千亿美元。