项目围绕2.5μm精密金属箔芯片研发及产业化，搭建从上游箔材研发、中游芯片设计与制造、下游电阻器生产与应用的全产业链技术体系，实现核心材料、工艺、产品全流程自主可控。攻克光刻版图设计、电化学刻蚀、离子束刻蚀等六大核心技术，产品精度最高达0.005%、温漂低至0.5ppm/℃，技术水平国际先进、国内领先，是国内唯一掌握2.5μm精密金属箔芯片核心技术的企业。项目已建成5条产线、460台套设备，累计获得专利77项、软件著作权15项，主导制定国家标准10项，产品应用于神舟系列飞船、天宫空间站等国家级重大工程，服务中国航天科技集团等超200家客户，在手战略订单超1亿元。依托47年军工技术积淀，总投资10亿元分三期建设，2033年达产后年营收35亿元。计划依托海南自贸港政策优势，在海口国家高新区设立海南区域总部与研发中心，并将海南作为产品出海东南亚、欧美市场的核心枢纽。